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- 制造廠商:Diodes(美臺)
- 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:TO-220-3
- 技術參數(shù):MOSFET N CH 650V 4A TO220-3
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DMG4N65CT 技術參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:DMG4N65CT
- 制造商:Diodes Incorporated(美臺半導體)
- 描述:MOSFET N CH 650V 4A TO220-3
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列:-
- 零件狀態(tài):停產(chǎn)
- FET類型:N 通道
- 技術:MOSFET(金屬氧化物)
- 漏源電壓(Vdss):650V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):4A(Tc)
- 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
- 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):3 歐姆 @ 2A,10V
- 不同Id時Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):13.5nC @ 10V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):900pF @ 25V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):2.19W(Ta)
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:通孔
- 器件封裝:TO-220-3
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