產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Diodes（美臺(tái)）
- 類別封裝：電源管理IC - 柵極驅(qū)動(dòng)器，產(chǎn)品封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
- 技術(shù)參數(shù)：IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K
- 豐富的Diodes公司產(chǎn)品，Diodes芯片采購平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
DGD2012S8-13 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：DGD2012S8-13
- 制造商：Diodes Incorporated（美臺(tái)半導(dǎo)體）
- 描述：IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K
- 產(chǎn)品系列：電源管理IC - 柵極驅(qū)動(dòng)器
- 包裝：卷帶（TR）,剪切帶（CT）
- 系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- 驅(qū)動(dòng)配置：半橋
- 通道類型：獨(dú)立式
- 驅(qū)動(dòng)器數(shù)：2
- 柵極類型：N 溝道 MOSFET
- 電壓-供電：10V ~ 20V
- 邏輯電壓?-VIL，VIH：0.8V，2.5V
- 電流-峰值輸出（灌入，拉出）：1.9A，2.3A
- 輸入類型：非反相
- 高壓側(cè)電壓-最大值（自舉）：200V
- 上升/下降時(shí)間（典型值）：40ns，20ns
- 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 產(chǎn)品封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
- DGD2012S8-13優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的Diodes芯片采購服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購網(wǎng)專注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)Diodes代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購IC芯片，是國(guó)內(nèi)專業(yè)的芯片采購平臺(tái)