產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Central
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：TLM621H
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 950MA TLM621H
- 豐富的Central公司產(chǎn)品，Central芯片采購平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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CTLDM8120-M621H BK 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：CTLDM8120-M621H BK
- 制造商：Central Semiconductor Corp
- 描述：MOSFET P-CH 20V 950MA TLM621H
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- FET類型：P 通道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：20V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：950mA（Ta）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：150 毫歐 @ 950mA，4.5V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：3.56nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：8V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：200pF @ 16V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：1.6W（Ta）
- 工作溫度：-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：TLM621H
- CTLDM8120-M621H BK優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的Central芯片采購服務(wù)平臺(tái)。
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