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- 制造廠商：Central
- 類別封裝：晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個，封裝：模具
- 技術參數：POWER TRANSISTOR NPN DIE
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CP307-2N5308-WN 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：CP307-2N5308-WN
- 制造商：Central Semiconductor Corp
- 描述：POWER TRANSISTOR NPN DIE
- 系列：晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 產品系列：-
- 零件狀態：停產
- 晶體管類型：NPN - 達林頓
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：300mA
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：40V
- 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：1.4V @ 200μA，200mA
- 電流-集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：20000 @ 100mA，5V
- 功率-最大值：625mW
- 頻率-躍遷：60MHz
- 工作溫度：-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：模具
- CP307-2N5308-WN優勢代理貨源，國內領先的Central芯片采購服務平臺。
