產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：AOS
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2 N-CH 60V 9.5A 8SOIC
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AOSD62666E 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：AOSD62666E
- 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）
- 描述：MOSFET 2 N-CH 60V 9.5A 8SOIC
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 N-通道（雙）
- FET功能：邏輯電平門
- 漏源電壓（Vdss）：60V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：9.5A（Ta）
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：14.5 毫歐 @ 9.5A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：10nC @ 4.5V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：755pF @ 30V
- 功率-最大值：2.5W（Ta）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
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