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美國商務部工業和安全局當地時間8月12日（BIS）《聯邦公報》披露了涉及先進半導體、渦輪發動機等領域的新出口限制臨時最終規則。

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有這個禁令GAAFET集成電路結構所需的集成電路(圍柵極場效應晶體管)EDA/ECAD以金剛石和氧化鎵為代表的超寬禁帶半導體材料，包括壓力增益燃燒（PGC）這四項技術實施了新的出口管制。

GAAFET相關EDA軟件

EDA/ECAD它是指用于設計、分析、優化和驗證集成電路或印刷電路板性能的電子計算機輔助軟件。早在8月3日，美國將切斷對中國的供應GAAFET技術相關的EDA工具的消息。禁令的發布進一步證實了這一消息。

作為FinFET的繼承者，GAAFET被認為是批量生產3nm以下半導體工藝的關鍵技術。

今年6月底，三星宣布率先量產GAAFET技術的3nm工藝。目前臺積電量產3nm仍然是基于FinFET預計技術將在2nm導入GAAFET技術。

也就是說，美國的禁令可以用于3nm以下先進半導體工藝芯片設計EDA軟件出口到中國。此舉將限制中國芯片設計制造商向3nm以下先進工藝突破。

BIS仍在征求公眾意見以確定ECAD砷化鎵場效應晶體管電路的設計特殊功能是什么，以確保美國政府能夠有效地執行法律法規。

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氧化鎵和金剛石

至于寬帶半導體材料氧化鎵（Ga2O3)和金剛石(包括碳化硅)SiC）：氮化鎵和碳化硅是生產復雜微波、毫米波設備或高功率半導體設備的主要材料，可以生產更復雜的設備來承受更高的電壓或溫度。

目前，以碳化硅和氮化鎵為代表的化合物半導體受到高度關注，將在未來的大功率、高溫和高壓應用中發揮傳統硅設備無法實現的作用。

特別是在未來三大新興應用領域(汽車)G物聯網)之一的汽車將有非常廣闊的發展前景。然而，氧化鎵比碳化硅和氮化鎵具有更寬的禁帶，使化合物半導體在更高功率的應用中具有獨特的優勢。

氧化鎵是一種寬禁帶半導體Eg=4.9eV，遠遠超過碳化硅(約3).4eV)、氮化鎵(約3.3eV)和硅(1.1eV)，它具有良好的導電性和發光特性，因此在光電子設備和大功率場景中具有廣闊的應用前景。

雖然氧化鎵遷移率和導熱率較低，特別是導熱性是其主要缺點，但這些缺點對功率器件的特性影響不大，因為功率器件的性能主要取決于突破電場強度。

△Ga2O確認3的結晶形態α、β、γ、δ、ε五種，其中，β當時結構最穩定，與Ga2O結晶生長和物質相關研究報告大多使用β結構。β-Ga2O3的擊穿電場強度約為8MV/cm，是Si20倍以上，相當于SiC及GaN的2倍以上。

與硅材料、氮化鎵、碳化硅等相比，金剛石半導體材料的禁帶寬度高達5.45 eV，最大的優點是載流子遷移率更高(空穴:3800 cm2V-1s-1，電子:4500 cm 2V-1s-1) 、更高的擊穿電場(>10 MVcm-1 )、熱導率較大( 22 WK-1cm-1)。

其本征材料具有自然熱導率最高、體材遷移率最高的優點，能滿足未來大功率、強電場、抗輻射等需求CirrusLogic代理需求是制造功率半導體器件的理想材料，在智能電網、軌道交通等領域具有廣闊的應用前景。

然而，北京科技大學新材料技術研究所教授李成明表示，金剛石的商業應用還有很長的路要走。金剛石材料的高成本和小尺寸是制約金剛石功率電子學發展的主要障礙。

舉例而言，CVD 金剛石單晶石單晶薄片時摻氮( 6 mm x 7 mm) 目前位錯密度可低至400 cm-2 ; 但金剛石異質外延技術的晶圓達到4~8 當位錯密度高達近107英寸 cm-高缺陷密度仍然是2量級的挑戰。

燃燒壓力增益

燃燒壓力增益（PGC）該技術可能會將燃氣渦輪發動機的效率提高10%以上，影響航空航天、火箭和高超音速導彈系統。

PGC該技術利用共振脈沖燃燒、固定容量燃燒和爆震等各種物理現象，在燃燒室內產生有效壓力，同時消耗相同的燃燒量。

BIS目前還不能確認生產中的任何發動機是否使用該技術，但對潛在生產有大量研究。