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根據(jù)東芝最近的官方網(wǎng)站，他們的第三代 SiC MOSFET(碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管)計(jì)劃今年 8 月下旬開(kāi)始量產(chǎn)。

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據(jù)了解，新產(chǎn)品采用新的設(shè)備結(jié)構(gòu)，導(dǎo)電阻低，與第二代產(chǎn)品相比，開(kāi)關(guān)損耗降低了約 20%。

2020 年 8 月，東芝利用這項(xiàng)新技術(shù)量產(chǎn)了第二代 SiC MOSFET ——1.2kV SiC MOSFET。這是一種將 SBD 嵌入 MOSFET 結(jié)構(gòu)，將其與 PN 二極管 并聯(lián)放置 ，可以提高可靠性 10 倍 。

雖然上述器HARTING代理可以顯著提高零件結(jié)構(gòu)的可靠性，但它有不可避免的缺點(diǎn) —— 特定導(dǎo)通電阻和性能指標(biāo)（Ron *Q gd）會(huì)增加，從而減少 MOSFET 性能；此外，為了降低導(dǎo)電阻，第二代 SiC MOSFET 芯片面積必須增加 ，這也會(huì)增加成本。

因此，東芝加強(qiáng)了對(duì)設(shè)備的處理 完善結(jié)構(gòu)，研發(fā)了第三代 SiC MOSFET。優(yōu)化電流擴(kuò)散層結(jié)構(gòu)，減少單元尺寸。實(shí)驗(yàn)證明，與第二代相比， SiC MOSFET，東芝新的器件結(jié)構(gòu)降低了特定的導(dǎo)電阻 43% ，Ron *Qgd 降低了 80% ，減少開(kāi)關(guān)損耗 20%。

東芝最新公告顯示，采用新設(shè)備結(jié)構(gòu)技術(shù)的第三代 SiC MOSFET 將在 8 月量產(chǎn) ，證實(shí)東芝正在加強(qiáng)布局 SiC 并進(jìn)入業(yè)務(wù) IDM 模式 的正軌。

今年 Q1.東芝宣布將利用其在半導(dǎo)體制造設(shè)備技術(shù)方面的優(yōu)勢(shì)，在內(nèi)部生產(chǎn)功率半導(dǎo)體 碳化硅外延片 ；并且投資 55 億 用于擴(kuò)大功率設(shè)備的生產(chǎn)，包括建設(shè) 8 英寸 碳化硅和氮化鎵生產(chǎn)線。

東芝表示，這種外延設(shè)備將 外延片 垂直集成模式的設(shè)備 ，有利于他們搶占鐵路、海上風(fēng)力發(fā)電、數(shù)據(jù)中心和車載市場(chǎng)。