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（2025年8月23日更新）

臺積電將于2025年在北美技術論壇上發(fā)布新的工藝路線圖nm采用工藝Nanosheet取代納米片電晶體的微觀結構FinFET。在此期間，臺積電甚至計劃了5種3種nm制程，包括N3、N3E、N3P、N3S和N3X，在2025年之前，包括建設更多晶圓廠在內的成熟和專業(yè)化工藝產能將提高50%。

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顯然，作為產能提升和晶圓廠建設的關鍵核心設備，EUV采購大量光刻機是必不可少的。臺積電表示，計劃于2024年推出ASML的新一代EUV極紫外光刻機。

此前，Intel我曾經說過我是第一個訂單ASML下一代EUV光刻機制造商計劃在2025年前使用。三星也不甘示弱。本周，副總裁李在镕親自去荷蘭會面ASMIntersil代理L據說高層至少贏得了18臺（ASML預計今年將出貨51臺EUV）。數(shù)據顯示，荷蘭ASML新型光刻機正在研發(fā)中High-NA EXE:5200（0.55NA），所謂High-NA即高值孔徑，2nm之后的節(jié)點必須依靠它來實現(xiàn)。光刻機價值4億美元(約26億元人民幣)，雙層巴士大，重200多噸。