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DDR五大內(nèi)存升級有哪些？你永遠不會想到最后一個

（2025年5月17日更新）

自12代酷睿誕生以來，除了CPU最受關(guān)注的是先進協(xié)議中的革命。一是全面支持PCIe5.0協(xié)議為下一代顯卡和存儲器提供了普及接口；二是全面引入新一代DDR5內(nèi)存協(xié)議打破了多年內(nèi)存產(chǎn)品性能和體驗的停滯，引發(fā)了新一輪內(nèi)存浪潮。

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關(guān)于前者，鑒于沒有消費水平PCIe5.這里省略了0相關(guān)產(chǎn)品。今天，我們將重點介紹被稱為內(nèi)存行業(yè)革命的產(chǎn)品DDR5內(nèi)存。

關(guān)于DDR5內(nèi)存，大多數(shù)用戶的直觀感受是頻率的提高，即由DDR4內(nèi)存2133MHz起步頻率倍增至4800MHz，甚至根據(jù)最新消息DDR后續(xù)內(nèi)存的頻率甚至達到60000MHz以上水準。就數(shù)值觀感而言，DDR除了數(shù)值刺激，5確實是內(nèi)存技術(shù)的大飛躍革命，從技術(shù)角度來看，DDR5內(nèi)存主要有以下五個技術(shù)升級，其中最后一個出乎意料。

01等效頻率成倍增加-跑得更快

DDR5最耀眼的技術(shù)升級是大家最能感受到的等效頻率的提升，直接從2133開始MHz跨越式增長為48000MHz即使是現(xiàn)在DDR5.內(nèi)存調(diào)參深入，6400MHz或?qū)⒊蔀橹髁魉健?/p>

提高頻率，使DDR5內(nèi)存在理論跑分上有了質(zhì)的飛躍，無論是讀取測試、寫入測試、復(fù)制、延遲，從跑分結(jié)果來看，DDR5無疑是超前，提升更是巨大。

DDR5內(nèi)存跑分

DDR4內(nèi)存跑分

對許多用戶來說，這也是如此DDR5內(nèi)存的第一印象也是最可接受的技術(shù)創(chuàng)新，即頻率提升帶來的跑分提升，使計算機理論上跑得更快。

02DRAM容量增加-容量更大

內(nèi)存的DRAM容量也是這次DDR5內(nèi)存技術(shù)改進的關(guān)鍵方向是JEDEC的DDR在規(guī)范中，單個內(nèi)存Die最大容量只有16Gb，而到了DDR5時代，單顆Die的容量上到64Gb的高度。

換句話說，DDR4時代單條32GB可能是消費級內(nèi)存的容量天花板，可以進入DDR5時代，標準規(guī)范的提高、工藝流程和內(nèi)部設(shè)計的冗余，使單個32GB已經(jīng)成為行業(yè)的主流標準，甚至是后續(xù)的64個單項GB，乃至于單條128GB，都將成為可能。

當然，上述容量規(guī)格的誕生也需要DDR進一步的進一步升級和優(yōu)化，以及消費者用戶的接受，是一個漫長的創(chuàng)新過程；但標準協(xié)議的誕生是內(nèi)存容量擴展的積極信號。

03工作電壓低-功耗低，超頻強

如果說容量和性能的倍增是最顯著的技術(shù)升級，那么下一步的內(nèi)部技術(shù)升級和糾正就是在更深層次的迭代優(yōu)化。

降低工作電壓是重要環(huán)節(jié)。

DDR內(nèi)存工作電壓低至15.1V，對比DDR4最低1.2V工作電壓降低了20%左右，其降低有兩個重要意義。

一是功耗，特別是筆記本產(chǎn)品和企業(yè)級服務(wù)器產(chǎn)品，功耗降低20%，具有顯著的節(jié)能意義；二是超頻潛力和初始電壓的降低，為后續(xù)超頻調(diào)節(jié)提供了更大的可操作空間，可以進一步提高內(nèi)存的超頻潛力。

04On-die ECC下放-糾錯能力更強，操作更穩(wěn)定

事實上，隨著晶圓光刻技術(shù)的不斷改進，DRAM芯片密度的不斷提高，增加了數(shù)據(jù)泄露、數(shù)據(jù)校正和數(shù)據(jù)錯誤的可能性。特別是在企業(yè)應(yīng)用場景中，為了避免頻繁發(fā)生數(shù)據(jù)錯誤，行業(yè)引入ECC為了規(guī)避風險，提高可靠性，降低缺陷率，糾錯機制。

而全新DDR5內(nèi)存，為了進一步穩(wěn)定數(shù)據(jù)EverSpin代理類似企業(yè)級應(yīng)用場景的傳輸和校正迎來了On-die ECC糾錯機制可以動態(tài)糾正數(shù)據(jù)單位或數(shù)據(jù)編碼錯誤，為用戶日常應(yīng)用的穩(wěn)定性提供技術(shù)保障。這不僅是企業(yè)技術(shù)委托給消費場景的大膽嘗試，也是企業(yè)技術(shù)委托給消費場景的大膽嘗試DDR升級內(nèi)存創(chuàng)新的重要產(chǎn)品。

05雙32尋址通道單通道變雙通道延遲更低，效率倍增

最后一個重要的技術(shù)升級是引入雙32位尋址通道，其基本原理是DDR5內(nèi)存模塊中的64位數(shù)據(jù)帶寬分為兩個帶寬中的32位，有效提高了內(nèi)存控制器和數(shù)據(jù)訪問的效率，減少了延遲。

所以我們可以看到，單條DDR5內(nèi)存插入電腦后，一些專業(yè)軟件甚至直接識別為雙通道內(nèi)存，因為DDR5內(nèi)存模塊激進地將64位單通道轉(zhuǎn)化為32位獨立雙通道的技術(shù)創(chuàng)新；當然，這種雙通道設(shè)計與傳統(tǒng)意義上的雙通道相當不同，無法與傳統(tǒng)意義上的兩個內(nèi)存形成的雙通道進行比較，根據(jù)應(yīng)用場景的性能差異，其改進效果也有所不同。

但總的來說，引入雙32位尋址通道，對于降低尋址性能和延遲，有顯著的提升作用，DDR從某種意義上說，整體性能的躍升與該技術(shù)密不可分。