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高產能生產專家在基礎半導體元件領域Nexperia(安世半導體)最近宣布MOSFET該設備推出了新的增強電熱模型。半導體制造商通常會認為MOSFET提供模擬模型，但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量設備參數。Nexperia全新先進模型可捕獲-55℃至175℃一系列完整的設備參數在整個工作溫度范圍內。

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這些先進模型增加了反向二極管恢復時間和電磁兼容性(EMC)，大大提高了設備的整體精度。參數可以幫助工程師在原型設計前建立精確的電路和系統級模擬EMC評估性能。模型也有助于節省時間和資源。工程師需要確保他們的設計能夠在最壞的情況下工作，但現在他們可以在特定的溫度范圍內模擬設計。

Nexperia與一家一級OEM目前只有這些模型是合作開發的Nexperia能滿足其要求。Nexperia應用工程師Andy Berry這些新的先進電熱模型旨在為設計師提供最可靠的電路模擬結果。在雙脈沖測試中，模型準確預測了真實設備的行為，證明了其優異的高精度。我們的合作伙伴在初步反饋中表示，這些模型是他們見過的最準確的模型。”

繼Nexperia流行的交互式應用筆記發布后，這些先進的電熱模型是我們工程師團隊為工程師朋友設計的一系列支持工具中最新的，計劃在未來幾個月內發布。這種支持外部活動的新工具旨在盡可能多Nexperia客戶提供無縫設備設計。