
IC臺(tái)積電2.5D及3D先進(jìn)的包裝技術(shù)(APT)工藝平臺(tái)可以縮短芯片的特殊應(yīng)用(ASIC)設(shè)計(jì)周期有助于降低風(fēng)險(xiǎn),提高良率。雖然創(chuàng)意第一季度的收入較淡季下降,但預(yù)計(jì)仍將是季度收入的歷史,今年5奈米和7奈米委托設(shè)計(jì)(NRE)接案暢旺,ASIC量產(chǎn)將逐步放量,全力攻擊人工智能和高效運(yùn)算(AI/HPC)客制化ASIC巨大的市場商機(jī)。
芯片采購網(wǎng)專注于整合國內(nèi)外授權(quán)IC代理商現(xiàn)貨資源,芯片庫存實(shí)時(shí)查詢,行業(yè)價(jià)格合理,采購方便IC芯片,國內(nèi)專業(yè)芯片采購平臺(tái)。
今年創(chuàng)意保持樂觀前景,增長動(dòng)能來自5奈米和7奈米AI/HPC相關(guān)芯片NRE接案暢旺,12奈米固態(tài)硬盤控制IC而擴(kuò)大了網(wǎng)通芯片的大規(guī)模生產(chǎn)。此外,過去三年的創(chuàng)造力NRE今年,案會(huì)先后引進(jìn)5奈米和7奈米量產(chǎn),配合臺(tái)積電晶圓OEM和先進(jìn)包裝產(chǎn)能支持,爭取系統(tǒng)廠AI/HPC客制化ASIC外包訂單深有信心。
創(chuàng)意發(fā)布2.5D與3D多晶粒APT平臺(tái),支持臺(tái)積電CoWoS-S、CoWoS-R、InFO先進(jìn)的包裝技術(shù)。創(chuàng)意提供全方位的解決方案,包括完成硅驗(yàn)證的接口硅智能金融(IP)、CoWoS與InFO信號(hào)和電源的完整性、熱仿真過程以及產(chǎn)品量產(chǎn)驗(yàn)證的可測(cè)試設(shè)計(jì)(DFT)生產(chǎn)試驗(yàn)。
創(chuàng)意表示,由于配備高帶寬內(nèi)存多年,(HBM)的CoWoS-S和InFO內(nèi)部7奈米和5奈米晶粒與模擬過程相匹配GLink IP硅驗(yàn)證已經(jīng)完成。最近創(chuàng)意用5奈米工藝4Gbps HBM2E物理層CMLMicrocircuits代理與控制器IP,完成了CoWoS-R測(cè)試芯片驗(yàn)證。
創(chuàng)意總經(jīng)理戴尚義表示,創(chuàng)意去年開發(fā)了新一代HBM3、GLink-2.5D與GLink-3D等IP,并完成CoWoS-S/R與InFO設(shè)計(jì)平臺(tái)驗(yàn)證,可以說是經(jīng)歷了突破性的進(jìn)展。創(chuàng)意與臺(tái)積電合作,努力減少最先進(jìn)的2.5D與3D利用技術(shù),讓客戶開發(fā)具有成本效益的高效產(chǎn)品,更快地進(jìn)入量產(chǎn)。
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