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韓國媒體表示，韓國三星計劃在三年內成立GAAFET技術3納米節點已成為芯片OEM行業游戲規則的破壞者，趕上全球芯片OEM領先臺積電。

《BusinessKorea》指出，GAAFET該技術是善半導體晶體管結構的新時代工藝，使柵極接觸晶體管的所有四面，而不是目前FinFET工藝三面，使GAAFET芯片生產技術生產FinFET更準確地控制電流。

市場研究調查機構TrendForce報告指出，2021年第四季度，臺積電全球芯片OEM行業以52.1%的市場份額擊敗韓國三星。為了趕上臺積電，三星押注GAAFET該技術首次用于3納米節點，6月份開始試生產，成為世界上第一個GAAFET芯片代工廠的技術。與5納米工藝相比，三星數據顯示，GAAFET3納米工藝性能提高15%，能耗降低30%，芯片面積降低35%。

三星最近試產GAAFET技術3納米工藝后，2023年引進第二代3納米工藝芯片量產，2025年量產GAAFET技術2納米工藝。另一方面，臺積電，下半年批量生產。FinFET技術3納米節點。臺積電沿用FinFET原因是成本和穩定性。

韓國市場人士表示，如果三星GAAFET為了保證良率，3納米制程可以成為OEM市場游戲規則的破壞者。此外，臺積電最近宣布將在2025年引入GAAFET從2022年底到2025年3年，技術2納米工藝發布了第一款產品，這對三星芯片OEM業務至關重要。

近日，三星宣布五年內投資半導體等關鍵行業，總計450兆韓元，但面臨3納米制造障礙。Richtek代理同樣，臺積電也很難提高3納米良率，原計劃在7月份為英特爾和蘋果量產3納米芯片，GPU英偉達也支付了90億美元的預付款，今年發布了采臺積電3納米生產GeForce RTX40系列GPU，但良率問題，GeForce RTX40系列GPU最后，5納米而不是3納米。

據臺灣媒體報道，臺積電很難保證3納米的預期良率，并多次修改技術路線。然而，三星在臺積電方面也遇到了同樣的情況。盡管三星聲稱3納米準備試生產，但良率仍然太低，推遲了大規模生產過程。韓國市場分析師表示，除非三星為7納米或更先進的工藝技術獲得更多客戶，否則投資者對三星業績的信心可能會增加。