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如今，許多計算機(jī)被主流使用DDR4內(nèi)存，DDR5即將正式到來。AMD、Intel發(fā)布新產(chǎn)品時，已開始支持DDR5.作為下一代存儲技術(shù)，它有什么秘密？

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去年7月，電子設(shè)備工程聯(lián)合會（JEDEC）最后，下一代主流存儲器正式發(fā)布（DDR5 SDRAM）最終規(guī)范。自20世紀(jì)90年代末以來，雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）存儲技術(shù)經(jīng)歷了多次迭代和推廣PC、生態(tài)的快速發(fā)展，如服務(wù)器。

據(jù)悉，JEDEC最初是2018年提出的DDR時隔兩年，正式版本雖然來得有點(diǎn)晚，但并沒有降低新一代存儲標(biāo)準(zhǔn)的重要性。

值得一提的是，DDR5重點(diǎn)再次集中DRAM存儲密度和速率。JEDEC兩者都翻了一番，最大內(nèi)存率設(shè)定為6.4Gbps起步、單條LRDIMM預(yù)計容量將達(dá)到2TB。

下一代DDR事實上，早在2020年1月，美光科技就接近了內(nèi)存。（Micron）宣布最新向客戶出樣DDR5內(nèi)存，基于1Znm性能提高了85%。

與DDR4內(nèi)存相比，DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng)，功耗更低，起步頻率至少4800MHz，最高6400MHz。還有其他變化，電壓從1.2V降低到1.1V，同時，每個通道32/40位(ECC)、提高總線效率，增加預(yù)提Bank Group提高性能等數(shù)量。

現(xiàn)在美光出樣了DDR最新的15內(nèi)存使用了最新的1Znm工藝大約是12-14nm節(jié)點(diǎn)之間，ECC DIMM規(guī)格，頻率DDR5-4800，比現(xiàn)在的DDR4-3200內(nèi)存性能提高了85%左右，但距離DDR5-6400還有一點(diǎn)距離，后期還有挖掘的空間。

據(jù)美光科技介紹，DDR5是目前最先進(jìn)的技術(shù)DRAM，以4PowerIntegrations代理800 MT/s將內(nèi)存性能提高85%以上，從而支持下一代服務(wù)器的工作負(fù)載。DDR4相比，DDR5將提供兩倍以上的有效帶寬，有助于緩解每個核心的帶寬縮，進(jìn)一步促進(jìn)CPU隨著核心數(shù)量的增加，計算能力逐年提高。

對DDR就內(nèi)存而言，平臺的支持是最大的問題，但從各大公司公布的產(chǎn)品來看，大多數(shù)新產(chǎn)品都得到了正式的支持DDR5內(nèi)存平臺。