與傳統的硅設備相比，碳化硅（SiC）該裝置已成為下一代低損耗半導體可行的候選裝置，具有低導電阻特性和優異的耐高溫、高頻、耐高壓性能。此外，SiC 設計師可以減少部件的使用，從而進一步降低設計的復雜性。SiC 元件的低導電阻特性有助于顯著降低設備的能耗，從而有助于設計 CO2 環保產品和系統排放。羅姆在 SiC 在許多行業的應用中，功率元件和模塊的開發領域處于先進地位。
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水原德健, 技術中心總經理羅姆半導體(北京)
目前市場基本按圖 1 將材料功率半導體器件的應用場景用場景。硅基適用于低頻高壓IGBT，如果頻率稍高但電壓不是很高，功率不是很高，則使用硅基 MOSFET。碳化硅適用于高頻高壓的情況下 MOSFET。所以電壓不需要很大，功率不需要很大，但頻率需要很高，氮化鎵適用于這種情況。目前，基于碳化硅材料的功率半導體適用于高頻、高功率、高工作電壓的應用。
圖1
與硅相比，碳化硅具有效率高的特點，因此可以更有效地利用電動汽車電池的電能。這將有助于延長電動汽車的續航里程，降低電池體積和成本。羅姆作為碳化硅元件的龍頭企業之一，早在 2010 便于行業首次量產 SiC MOSFET。羅姆于在車載領域 2012 年推出支持 AEC-Q101 認證的車載產品和車載充電器（OBC）市場份額很高。此外，羅姆碳化硅產品也用于車載 DC/DC轉換器等領域。2020 年 6 月，羅姆發布了行業先進的第一名 4 低導阻抗 SiC MOSFET。本產品非常適用于車載動力總成系統和工業設備的電源，包括主機逆變器。與以往產品相比，在不犧牲短路耐受時間的前提下，成功實現了行業內較高水平的低導電阻。例如，在車載主驅逆變器中使用 IGBT 相比之下，效率可以顯著提高，主要體現在逆變器的高扭矩和低速范圍內NDK代理可降低功耗 6%(按國際標準WLTC 計算燃料消耗測試)。
羅姆一直在大力推動行業先進的碳化硅元件和各種具有優勢的硅元件的開發和大規模生產。同時，羅姆一直致力于開發具有優異高頻工作性能的氮化鎵元件，為各種應用提供更廣泛的電源解決方案。此外，羅姆還將有助于節能和小型氮化鎵器件的產品陣容命名為EcoGaN一直致力于進一步提高設備的性能。未來，羅姆將繼續發展并融入Nano PulseControl控制模擬電源技術等 IC 及其模塊，通過提供能夠更大程度地發揮氮化鎵器件性能的電源解決方案，為社會可持續發展做出貢獻。
在羅姆，SiC 業務從 SiC 襯底、延伸、晶圓到包裝都構建了公司內部的一站式生產體系，不僅是設備開發，而且致力于晶圓的大口徑化，通過投資最新設備提高生產效率；通過性能、質量、供應穩定，實現與朋友的差異化。
(注:本文自轉載《IC2022年7月，代理商
