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原子層沉積(ALD, Atomic Layer Deposition)該工藝是與當前和未來工藝節點相關的收縮以及在更復雜的設備幾何形狀上沉積薄層材料的關鍵技術。如今，隨著技術節點以驚人的速度不斷進步，準確有效地生成關鍵設備特性已成為一個持久的挑戰。

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原子層沉積過程依靠專業的高性能原子層沉積閥在數百萬脈沖中輸送精確的化學劑量，形成材料層。輸送這些脈沖化學劑量的閥門必須越來越精確和一致，以達到原子級精度和高生產率。世偉洛克一直致力于這一點，并不斷更新ALD閥門使用壽命、響應時間、高溫高流量應用和一致性指標的新高。

▲世偉洛克ALD一系列閥門開發過程▲

即將推出的世偉洛克ALD7超高純隔膜閥是ALD 通過提高流量一致性、流通能力、執行機構響應速度和更高的溫度性能，技術創新可以提高芯片產量。

ALD7.創造不妥協的精度

ALD7提供了閥門與閥門、進料與進料、腔室與腔室在超高循環壽命下的一致性。

l 在 ALD 應用中，ALD7 在數百萬次循環中提供準確的進料

l 改進的執行機構技術使閥門執行速度快于行業標準技術，響應時間低至5ms

l 執行機構可以浸入 150°C，閥體的額定溫度為 200°C，在高溫和真空條件下提供一致的流量

l ALD7由世衛洛克專有的超高純度閥體 316L VIM-VAR不銹鋼構成，具有耐腐蝕性氣體的能力

ALD7.性能更高，返工更少

與行業標準閥相比，ALD7 流通能力提高，但占用空間保持不變。緊湊的設計XPPower代理，在沒有重大工藝變化的情況下，半導體制造商可以提高原設備的生產力。

l ALD7 可提供高達 0.7 的流量系數 (Cv) 并實現閥門與閥門之間準確、可重復的進料

l ALD7 與現有的世偉洛克保持一致 ALD 閥門相同的 1.5-inch占用空間

l 閥門有一個集成的熱隔離器，縮短了閥門的整體尺寸，使系統設計師能夠利用反應室附近的有限空間

新款 ALD7超高純（UHP）即使與我們的舊閥門相比，隔膜閥也能提供一致的改進的性能。性能更高ALD在現有設備中更換閥門，無需重新設計。ALD7閥和其他世界偉大的洛克 ALD 閥門占用相同的空間，緊湊的閥門設計使工藝設計師能夠盡可能地利用反應腔室附近的有限空間。

無論是集成到新設備還是現有設備中，ALD7 閥門為半導體設備 OEM 為提高芯片制造商的生產力，滿足芯片日益增長的全球需求提供了一種簡單的方法。在不增加運營成本的情況下，為制造商提供一致的性能，盡可能提高產量。

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