全MXIC代理球公認(rèn)的優(yōu)秀模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB)最近宣布擴(kuò)大其SubstrateXtractor該工具的應(yīng)用范圍允許用戶使用該工具檢查不需要的襯底耦合效應(yīng)。作為世界上第一個BCD-on-SOI該工藝提供此類分析功能的OEM，X-FAB把這個初始面向XH018和XP018 180nm Bulk CMOS工藝開發(fā)工具增加了其對XT018 180nm BCD-on-SOI以工藝為支撐Bulk CMOS工藝外的補(bǔ)充。使用新的SubstrateXtractor可以加速升級版本SOI避免多次迭代，開發(fā)相關(guān)產(chǎn)品。
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最初的SubstrateXtractor由X-FAB與EDA合作伙伴PN Solutions(基于其廣泛使用PNAware合作開發(fā)產(chǎn)品，2019年發(fā)布。利用這個工具，客戶可以解決半導(dǎo)體襯底中有源和無源元件之間的耦合問題（無論這些元件是電路本身的一部分還是寄生的）——其顯著優(yōu)勢使客戶的項目更快地進(jìn)入市場。PN Solutions的PNAwareRC工具支持SOI該工藝進(jìn)一步增強(qiáng)了平臺的功能，擴(kuò)大了平臺的吸引力。
圖為X-FAB工程師正在使用襯底耦合分析工具
X-FAB的XT018工藝BOX/DTI該功能可以隔離芯片上的組成功能模塊，適用于需要與數(shù)字模塊耦合的敏感模擬模塊，或必須與高壓驅(qū)動電路隔離的低噪聲放大器。該過程也使多通道設(shè)計更容易實(shí)現(xiàn)XT018中的電路有效地放置在自身獨(dú)立的襯底中，從而減少串?dāng)_。
在基于SOI在集成電路中使用SubstrateXtractor對客戶來說，實(shí)現(xiàn)襯底耦合分析的能力是非常有價值的。雖然SOI工藝中的有源部分可以通過BOX和DTI完全介電隔離，有源部分隔離就像孤立，但無源R和C耦合仍然可能存在。由于這個新的升級工具，它可以被視為DTI和BOX水平和垂直耦合路徑提取無源RC通過模擬無源耦合網(wǎng)絡(luò)，評估網(wǎng)絡(luò)對集成電路的影響。這生的關(guān)鍵應(yīng)用，包括工業(yè)和汽車系統(tǒng)中使用的大電流和高壓設(shè)備。
消除襯底耦合是一項具有挑戰(zhàn)性的任務(wù)。支持我們XT018 BCD-on-SOI提取與工藝相關(guān)的寄生元素，客戶將能夠模擬電路模塊的耦合，識別對性能不利的干擾因素。”X-FAB設(shè)計支持總監(jiān)Lars Bergmann涉及非常大的干擾電壓或個位數(shù)GHz在高頻范圍內(nèi)，此功能擴(kuò)展將具有重要意義。”
縮略語：
BOX 埋地氧化物
BCD Bipolar CMOS DMOS
DTI 深槽隔離
EDA 自動化電子設(shè)計
RC 電阻-電容
SOI 絕緣體上硅
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