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據(jù)外媒Tomshardware一家俄羅斯研究機構(gòu)正在研究和開發(fā)自己的半導體微影光刻設備，預計該設備將用于生產(chǎn)7納米工藝芯片。整個計劃預計將于2028年完成，一旦完成，其設備可能會比較ASML的Twinscan NXT:2000i效能更高。值得一提的是，ASML開發(fā)Twinscan NXT:2000i超過10年。

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報告稱，俄羅斯政府已經(jīng)啟動了一項國家計劃，到2030年開發(fā)自己的28納米工藝技術(shù)，并盡可能利用外國芯片進行逆向工程，培養(yǎng)當?shù)厝瞬艔氖聡鴥?nèi)芯片生產(chǎn)。

根據(jù)俄羅斯發(fā)表的計劃，俄羅斯科學院下屬的俄羅斯應用物理研究Infineon代理所（Russian Institute of Applied Physics，IAP）預計到2028年開發(fā)批量生產(chǎn)具有7納米制造能力的微影光刻設備。

報告指出，俄羅斯將開發(fā)大規(guī)模生產(chǎn)的設備ASML或NIKON公司生產(chǎn)的微影光設備不同。例如，IAP計劃使用600以上W曝光波長為11的光源.3nm（EUV波長為13.5納米)，需要比現(xiàn)在更復雜的光學元件。由于設備的光源功率相對較低，工具體積更緊湊，因此更容易制造。但這也意味著其微影光刻設備的芯片產(chǎn)量將遠低于現(xiàn)代深紫外線（DUV）微影光刻設備。但IAP這不會是問題。

目前，32納米以下的工藝技術(shù)是制造商主流使用的所謂沉浸式微影光刻設備。ASML2003年底推出首款沉浸式微影光刻設備-Twinscan XT:1250i，生產(chǎn)65納米邏輯芯片和70納米納米邏輯芯片和70納米等級的設備DRAM。之后，該公司花了大約5年時間在2008年底宣布支持32納米Twinscan NXT:1950i，沉浸式微影光刻設備于2009年交付給客戶。

上述說明代表了當前技術(shù)領(lǐng)先者ASML在2018年交付支持7納米和5納米工藝大約需要9年時間Twinscan NXT:2000i DUV微影光ASML從65納米制程到7納米制程的產(chǎn)品開發(fā)過程來看，總共需要14年的時間。

目前，俄羅斯沒有芯片生產(chǎn)經(jīng)驗或與芯片制造商沒有聯(lián)系IAP，我計劃在大約6年內(nèi)從零開始制造一套支持7納米工藝的微影光刻設備，并進一步批量生產(chǎn)。雖然這個計劃聽起來不可行，但看起來不可行IAP但充滿了熱情。

根據(jù)發(fā)展時程，IAP計劃在2024年之前建造功能齊全的第一代微影光刻設備。該微影光刻設備不需要提供高生產(chǎn)率或最大分析，但必須能夠運行，以吸引潛在投資者。之后，IAP計劃在2026年之前制作具有較高生產(chǎn)力和分析度的微影光刻設備測試版。這臺機器應能量產(chǎn)晶圓，但預計其生產(chǎn)力不會達到最大。至于俄羅斯計劃的最終版本的微影光刻設備將于2028年推出，它不僅可以獲得高性能光源，而且具有更好的計算測量和整體能力。然而，目前尚未公布。IAP與其生產(chǎn)合作伙伴將生產(chǎn)多少套此類設備。