產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：PG-TSDSON-8
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
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BSZ120P03NS3EGATMA1 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：BSZ120P03NS3EGATMA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列：OptiMOS?
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- FET類型：P 通道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：11A（Ta），40A（Tc）
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：12 毫歐 @ 20A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：3.1V @ 73μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：45nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±25V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：3360pF @ 15V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），52W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：PG-TSDSON-8
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